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中国科学家在硅基闪存技术上取得了重大突破，成功研发了国际最短沟道的超快闪存器件，这一成果不仅突破了硅基闪存物理尺寸的极限，达到了约15纳米，更是在原子级薄层沟道的支持下，实现了20纳秒的超快编程速度、10年的非易失性、10万次循环寿命和多态存储性能。复旦大学周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。
然而，需要注意的是，基于硅基的传统微电子已经走到了尽头，其物理极限是原子尺寸，也就是十分之一纳米，不能达到皮米级。这表明虽然中国科学家在硅基闪存技术上取得了突破，但硅基闪存的物理极限可能仍然存在，且接近于原子尺寸的极限。
中国科学家在硅基闪存技术上的突破将极限提升至约15纳米，但硅基闪存的物理极限可能接近于原子尺寸，即十分之一纳米。
然而，需要注意的是，基于硅基的传统微电子已经走到了尽头，其物理极限是原子尺寸，也就是十分之一纳米，不能达到皮米级。这表明虽然中国科学家在硅基闪存技术上取得了突破，但硅基闪存的物理极限可能仍然存在，且接近于原子尺寸的极限。
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