英特尔 将于 2023 年 9 月 29 日星期五在爱尔兰莱克斯利普附近的 Fab 34 工厂正式开始使用其 Intel 4工艺技术 进行芯片的大批量制造 (HVM)。 这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。

英特尔位于爱尔兰的 Fab 34 工厂将是该公司继俄勒冈州希尔斯伯勒附近的 D1 工厂之后第二座配备Intel 4 制造工艺制造芯片的半导体生产工厂。该公司使用了它的副本！将支持 EUV 的工艺节点从美国引入爱尔兰的程序，并且使用此方法可确保所有持续工艺改进 (CPI) 方法通过在美国或其他地方可以在 Fab 34 上实施。

据报道，与 Intel 7（10nm 增强型 SuperFin）相比，Intel 4 制造技术在相同功率下的频率提高了 21.5%，或者在相同频率下功耗降低了 40%。也许更重要的是，新的制造工艺承诺将晶体管密度提高两倍，并提供高性能库，这是由 EUV 和第二代有源栅极接触 (COAG) 实现的成就。

Intel 4 制造技术（以前称为 7nm）目前用于为该公司在客户端 PC 中代号为 Meteor Lake 的处理器制造计算模块 。在两个晶圆厂生产这些小芯片将确保英特尔能够大批量推出这些 CPU。

英特尔对下一代光刻机的规划

作为英特尔在今年的英特尔创新 2023 大会上发布的硬件套件的一部分，该公司简要更新了其高数值孔径 EUV 机器的计划，该机器将成为未来英特尔工艺节点的基石。在英特尔工艺路线图发生一些变化（特别是英Intel 18A 因提前而被纳入）之后，英特尔制定了下一代 EUV 机器的计划。英特尔现在将仅使用具有 18A 节点的机器作为新机器开发和验证工作的一部分；High-NA 机器的生产使用现在将出现在英特尔的 18A 后节点上。

高数值孔径 (High-NA) 机器是下一代 EUV 光刻机。大型扫描仪采用 0.55 数值孔径光学器件，明显大于第一代生产 EUV 机器中使用的 0.33 NA 光学器件，这最终将允许蚀刻更高/更精细的质量线。最终，高数值孔径机器将成为支持 2 纳米/20 埃以下节点的关键组件。

当英特尔在 2021 年制定“4 年 5 个节点”路线图时，该公司宣布将成为 ASML High-NA 机器的主要客户，并将接收第一台量产机器。反过来，High NA 预计将成为英特尔 18A 节点的主要部分。

但自 2021 年以来，英特尔的计划发生了变化，看起来是一种好的方式。18A 的进展已经提前。然而，鉴于 ASML High-NA 机器的发布日期没有改变，英特尔的这一声明留下了一些关于 High-NA 如何适应其 18A 节点的问题。现在我们终于得到了英特尔对此事的一些澄清。

High NA机器不再是Intel 18A生产计划的一部分。随着该节点现在在生产级高数值孔径机器之前到达，英特尔将使用他们拥有的工具（例如 ASML 的 NXE 3000 系列 EUV 扫描仪）生产 18A。相反，18A 和高 NA 之间的交集将是英特尔使用 18A 系列来开发和验证High NA 扫描仪在未来生产中的使用。之后，英特尔最终将使用 High-NA 机器作为其下一代 18A 后节点（现在简称为“Intel Next”）生产过程的一部分。

光刻机的路线一定会有终点不可能是无限小的

光刻机一定会突破一些东西，有些东西到极致后就会是瓶颈，但是我们可以见到这个技术，或许我们见不到。

e级光刻机是目前技术最领先的光刻机自然是使用它了

新的制造工艺承诺将晶体管密度提高两倍

了解一下，这个说不定会带来一定价格优势。