计算机诞生初期，并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上。随着半导体技术的发展，原有的形态已经无法满足性能提升带来的需求。因此，内存从线路上“独立”出来，成为可拆卸的部件，以便于更加自由地提升性能和容量。
经过长时间的发展，现在主流的DDR4内存已经是SDRAM内存形态的第五代产品。自2021年发布以来，DDR4内存的容量和性能参数都在不断提升，现已处在相当成熟的阶段。无论传统的台式机还是逐渐成为主流的笔记本，现在都正处在DDR4内存时代。
话虽如此，但台式机内存（U-DIMM）和笔记本内存（SO-DIMM）的形态差别还是很明显。比如将威捷科DDR4 U-DIMM和DDR4 SO-DIMM放在一起看，我们首先能发现他们的“三围”就有明显的不同。其次，U-DIMM这样的台式机内存不必拘泥于空间所以在体积上它会比SO-DIMM笔记本厚上一些，简单来说，大家只要记得短且小巧就是笔记本内存；较长的且可以带散热片的就是台式机内存，非常好区分。
不仅在外观形态不一样，这两款内存的性能参数和特点也有出入。虽然他们默认都是2600MHz,台式机可以在超频处理器的时候同步自动调整频率，以匹配处理的性能提升。
明显的功能区别和内存所处的环境也有莫大的关系——笔记本要兼顾便携性和稳定性，所以内存功能相对较少；而台式机拥有较大的内部空间，并且其中很多硬件都能超频使用。
频率这个很容易理解，毕竟身处手机全民化的时代，相信大家都明白频率越快表现越好。那么“时序”这个词，又要怎样理解呢？
内存时序（Memory Timings或RAM Timings）包含了内存性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
CL的中文全称为列地址选通脉冲潜伏时间，它是内存控制器与内存之间必须达成的确切数字，用来指代发送一个列地址到内存与数据开始响应的周期数；
TRCD的中文全称是行地址到列地址延迟，用来指代打开一行内存，并访问其中列位置所需要的最小时钟周期；
TRP的中文全称是行预充电时间，用来指代发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数；
TRAS的中文全称是行活动时间，指代行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这四个参数通常以三个破折号进行连接。
举个例子，内存的时序为16-18-18-38；这些数字即对应上面提到的四个参数，也就是我们常说的内存时序了。
既然现在我们能从定义上了解到各项时序的简要意义，也就能从内存产品所标称的数值上获取内存选用的关键信息了。大家可以这么理解：在同样的频率下，对应内存的时序数值越低，意味着内存执行各项参数指令的周期越短，性能自然也就更强啦。为了保证使用体验，威捷科内存都在保证稳定地高频运作的情况下追求更低的时序，让大家手中的硬件可以更好地发挥，避免造成内存拖后腿的情况。要了解一款内存的时序也不难，只要看一下包装盒上的参数表或者内存上的贴纸就能找到。

频率越来越高，散热量越来越大

内存频率是一个重要的参数，而时序更是一个重要的参数

时序超频经常用到

现在的内存几乎都是够用的。