内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。

它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，列如上图的16-18-18-36。

第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。

这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更快的性能，所以也就是越小越好啦，通常以纳秒（ns）为单位。在这四组数字之中，CL对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，一般DDR4内存的第一项数值在15左右浮动。

但是DDR3内存的数值在5到11之间，而且后面三组数值也比DDR4内存要小，也就是说在相同的频率下，DDR3内存是要比DDR4更快的（笔者并不是否定DDR4）。说了关于时序四组数字的定义那么在购买产品时怎么运用到这一小知识点呢？

我给大家举个例子，芝奇幻光戟系列DDR4 3000 8GB售价为469元，时序为16-18-18-38；铭瑄复仇者RGB 3000 8GB售价为439元，时序为16-18-18-38；台电幻影P70 RGB灯条8G DDR4 2400售价为349元，时序为17-17-17-39。

所以中低端产品一般时序较高，中高端产品则会较低一些，当然在选购内存时，并不是为时序至上哦，品牌也很重要。

关于时序，在进行内存超频时也可以通过手动超频来降低时序，不少厂家也会推出超频版本供发烧友选择。

关于内存时序，小伙伴们看懂了吗。