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1、容量变化
DDR4内存采用了差分信号技(DiffrentialSignaling)术和三维堆叠技术(3DS)。DDR4内存既采用了传统的SE信号，还采用了差分信号技术，传统的SE信号传输机制在高频率下信号容易受到干扰，而差分信号技术采用两条线路来传送一个信号，大大增加了抗干扰能力。它用来增大单颗芯片的容量。在运用了3DS堆叠[敏感词]技术后，单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。举例来说，现在常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
内存功耗方面，DDR4内存的工作电压进一步降低达到了1.2V，相比DDR3内存的1.5V工作电压也降低了不少。功耗的降低能够使得内存降低用电量和发热，以达到提升内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。
3、内存频率与带宽
DDR4内存的工作频率从2133MHZ起步，最高可达4266MHZ，相比DDR3内存工作频率、内存时序有着较大的提升。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
4、外观变化
历代内存金手指一直都是直线型的，直到DDR4内存之后，金手指的规划为中间稍杰出，而边缘收矮的形状，这种规划的好处局势，以保障DDR4内存金手指与内存插槽触点有足够的接触面，确保信号传输稳定，同时也搞定了内存难以拔出和难以插入的问题。而DDR4内存金手指中间的缺口（防呆口）位置相比DDR3更加靠近中间。
DDR4内存采用了差分信号技(DiffrentialSignaling)术和三维堆叠技术(3DS)。DDR4内存既采用了传统的SE信号，还采用了差分信号技术，传统的SE信号传输机制在高频率下信号容易受到干扰，而差分信号技术采用两条线路来传送一个信号，大大增加了抗干扰能力。它用来增大单颗芯片的容量。在运用了3DS堆叠[敏感词]技术后，单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。举例来说，现在常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
内存功耗方面，DDR4内存的工作电压进一步降低达到了1.2V，相比DDR3内存的1.5V工作电压也降低了不少。功耗的降低能够使得内存降低用电量和发热，以达到提升内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。
3、内存频率与带宽
DDR4内存的工作频率从2133MHZ起步，最高可达4266MHZ，相比DDR3内存工作频率、内存时序有着较大的提升。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
4、外观变化
历代内存金手指一直都是直线型的，直到DDR4内存之后，金手指的规划为中间稍杰出，而边缘收矮的形状，这种规划的好处局势，以保障DDR4内存金手指与内存插槽触点有足够的接触面，确保信号传输稳定，同时也搞定了内存难以拔出和难以插入的问题。而DDR4内存金手指中间的缺口（防呆口）位置相比DDR3更加靠近中间。
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