最新一届IEEE国际电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了四大半导体制程工艺突破，涵盖新材料、异构[敏感词]、全环绕栅极(GAA)等领域。

目前，Intel正在持续推进四年五个工艺节点的计划，计划到2030年在单个芯片上[敏感词]1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、[敏感词]技术都至关重要。该技术采用了钌这种替代性的新型金属化材料，同时利用薄膜电阻率（thin film resistivity）、空气间隙（airgap），Intel代工在互连微缩方面实现了重大进步，具备可行性，可投入量产，而且具备成本效益。

引入空气间隙后，不再需要通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域，也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。

在间距小于或等于25纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙，可以使线间电容最高降低25％，从而替代铜镶嵌工艺的优势。

该技术有望在Intel代工的未来制程节点中得以应用。一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒(chiplet)，对比传统的芯片到晶圆键合（chip-to-wafer bonding）技术，能大大缩小芯片尺寸，提高纵横比，尤其是可以芯片[敏感词]中将吞吐量提升高达100倍，进而实现超快速的芯片间[敏感词]。

这项技术还带来了更高的功能密度，再结合混合键合（hybrid bonding）或融合键合（fusion bonding）工艺，[敏感词]来自不同晶圆的芯粒。

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