中科院全固态DUV光源突破：3nm工艺新路径，与ASML截然不同 【喜报】能生产3nm了！中国科学院最近研发出一种新技术，能发出193nm的深紫外（DUV）激光，达到生产3nm的超精细水平。

这跟ASML等公司的传统方法完全不一样。简单来说，ASML的光刻机是用氩气和氟气混合，在高压电场里激发出193nm的光，功率高达100-120W，频每秒8000-9000次。

而中科院用的是“全固态”方案，不靠气体，而是用一块特殊的晶体（Yb:YAG）先发出1030nm的光，再通过两种巧妙的方式“变身”成193nm。

第一种方式像光的“四级跳”，把1030nm变成258nm，功率1.2W；第二种方式像光的“放大镜”，变成1553nm，功率700mW。最后，这两束光混合在一块硼酸锂晶体里，就成了193nm的光。

结果呢？功率70mW，频率6000次/秒，光的质量也很不错，跟ASML的差不多，能支持3nm芯片制造。

这个技术的好处是设备更简单、体积小，不用稀有气体，还省电。成果已经登上国际光电学会官网。

不过，功率和频率比ASML低不少，分别是它的0.7%和2/3，还得再改进才能用在工厂里。但这步突破已经很厉害了，证明中国在芯片制造技术上有了新方向！

有新的突破了！

对比ASML的技术，频率赢达到了约2/3，但输出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。