二维半导体处理器“无极”——后摩尔时代的破局者

行业背景：随着硅基芯片制程逐步逼近物理极限，半导体行业亟需寻找能延续摩尔定律的新材料体系，而二维半导体因原子级厚度与独特电学特性，被视为突破1纳米技术节点的关键路径。
2025年4月，复旦大学联合团队成功研制全球首款基于二维半导体材料二硫化钼(MoS)的32位RISC-V架构微处理器“无极”，该芯片集成5900个晶体管，创下二维逻辑芯片最大规模验证纪录。